收藏本站
NTD20N03L27, NVD20N03L27
2500
200
1500
V GS ? V DS
C iss
12
10
8
6
Q
V GS
1000
4
Q 1
Q 2
500
C rss
C oss
2
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0
10 8 6 4 2 0 2
4 6 8 10 12 14 16 18 20 23 25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
20
18
16
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
t f
t d(off)
14
12
10
10
1
1
t d(on)
10
V DS = 20 V
I D = 20 A
V GS = 5.0 V
T J = 25 ° C
100
8
6
4
2
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
350
300
250
200
150
100
50
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 24 A
0
25
50
75
100
125
150
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD20N06-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20N06L-001 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD20P06L-001 MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
NTD23N03R-1G MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
NTD24N06-001 MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
NTD24N06LG MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NTD25P03L1G MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
NTD2955PT4G MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD20N03L27-1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTD20N03L27-1G 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27G 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTD20N03L27T4 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27T4G 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD20N03L27T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 20V 20A D-PAK
NTD20N03L27T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTD Series N-Channel 30 V 27 mOhm 74 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252